전이금속황화물 양자점의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 전이금속황화물 양자점 (Method for producing trans…
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발명의 명칭 | 전이금속황화물 양자점의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 전이금속황화물 양자점 (Method for producing transition metal sulfide quantum dots and transition metal sulfide quantum dots produced thereby) |
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등록일자 | 2024. 11. 22 |
등록번호 | 10-27350390000 |
출원번호 | 10-20220159738 |
본 발명은 전이금속황화물 양자점의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 높은 품질의 광발광 특성을 갖는 전이금속황화물 양자점을 potassium metal을 이용하여 간단하면서도 쉬운 방법으로 제조하는 방법에 관한 기술이다.
이러한 본 발명은, 전이금속황화물과 potassium metal을 혼합하여 혼합물을 형성하는 혼합물 형성 단계, 상기 혼합물을 히팅 맨틀에 넣고 150℃로 진공을 뽑으면서 전이금속황화물 층간 화합물을 제조하는 전이금속황화물 층간 화합물 제조 단계, 전이금속황화물 층간 화합물을 탈이온수에 넣어 60℃에서 1시간 동안 초음파 처리에 의해 박리를 실시하여 금속 및 금속이온이 혼합된 양자점을 제조하는 양자점 제조 단계(S300), 상기 양자점 제조 단계를 통해 제조된 다양한 크기의 양자점을 20nm AAO(Anodic Aluminum Oxide) 필터 및 다양한 크기의 필터가 구비된 복수의 코니칼 튜브들을 통해 크기별로 분리하는 분리 단계, 상기 분리 단계를 통해 크기별로 분리된 양자점을 dialysis tube에 넣고 용매에 넣어 각각 세척하여 금속 및 금속이온을 제거하는 세척 단계, 상기 세척 단계를 통해 금속 및 금속이온이 제거된 양자점을 70℃에서 24시간 건조를 실시하는 건조 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.